東芝推出采用緊湊型DFN88封裝的新型650V第3代SiC MOSFET－四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度－2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和…
東芝推出采用緊湊型DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度－
2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅(qū)動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。
未來東芝將繼續(xù)擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻。
應(yīng)用：
服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)電源
電動汽車充電站
光伏逆變器
不間斷電源
特性：
DFN8×8表面貼裝封裝，實現(xiàn)設(shè)備小型化和自動化組裝，低開關(guān)損耗
東芝第3代SiC MOSFET
通過優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導通電阻的良好溫度依賴性
低漏源導通電阻×柵漏電荷
低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要規(guī)格：
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