商品名稱:STM32L452CCU6TR
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32L452CCU6.pdf
品牌:ST
年份:21+
封裝:UFQFN-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
STM32L4 32 位 MCU+FPU 是超低功耗微控制器,基于高性能的 ARM?Cortex?-M4 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 80MHz。Cortex-M4 內(nèi)核具有單浮點(diǎn)單元(SFPU)精度,支持所有 ARM 單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。同時(shí)執(zhí)行全套 DSP 指令和存儲(chǔ)保護(hù)單元(MPU),增強(qiáng)應(yīng)用安全性。
規(guī)格參數(shù)
類別:嵌入式 - 微控制器
制造商: STMicroelectronics
系列: STM32L4
包裝: 托盤
核心處理器: ARM? Cortex?-M4
內(nèi)核規(guī)格: 32 位單核
速度: 80MHz
連接能力: CANbus,I2C,IrDA,LINbus,QSPI,SAI,SPI,SWPMI,UART/USART,USB
外設(shè): 欠壓檢測/復(fù)位,DMA,PWM,WDT
I/O 數(shù): 38
程序存儲(chǔ)容量: 256KB(256K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 容量: -
RAM 大?。?160K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :1.71V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D :10x12b;D/A 2x12b
振蕩器類型 :內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 :48-UFQFPN(5x5)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用簡潔卻堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。由六個(gè)帶續(xù)流二極管的IGBT和三個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動(dòng)控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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