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IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下：

特點

經過優(yōu)化用于低開關損耗

正熱系數VCE(sat)

國際標準封裝

大電流處理能力

功率密度大

柵極驅動要求低

反向并聯sonic二極管

IXYK85N120C4H1具有以下主要規(guī)格：

配置：Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1.2 kV

集電極—射極飽和電壓：2 V

柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：220 A

Pd-功率耗散：1.15 kW

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

封裝 / 箱體：TO-264-3

安裝風格：Through Hole

集電極最大連續(xù)電流 Ic：220 A

柵極—射極漏泄電流：100 nA

產品類型：IGBT Transistors

IXYK85N120C4H1晶體管非常適合用于功率逆變器、電機驅動、功率因數校正 (PFC) 電路和電池充電器應用。

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