ND89N16K是一款 20mm 單整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有 1600V 的阻斷電壓和 89A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應(yīng)用。
產(chǎn)品特性——ND89N16K
高可靠性技術(shù) :采用壓力接觸技術(shù),確保了電氣連接的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期可靠性。
標(biāo)準(zhǔn)化封裝 :工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì),便于集成到各種電力電子系統(tǒng)中。
電絕緣基板 :配備電絕緣基板,增強(qiáng)了模塊的安全性和穩(wěn)定性。
短路故障保護(hù) :在短路故障時(shí)會(huì)立即關(guān)閉輸出,提供額外的保護(hù)功能。
高魯棒性與可靠性 :具備最高的魯棒性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
高功率循環(huán)能力 :適用于高過載和功率循環(huán)要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
浪涌電流能力強(qiáng) :具有出色的浪涌電流能力,特別適合應(yīng)對(duì)短時(shí)電網(wǎng)尖峰。
產(chǎn)品參數(shù)——ND89N16K
額定電壓 :1600V(重復(fù)峰值電壓)。
額定電流 :89A(有效值電流)。
功耗 :在 25°C 時(shí)為 60W,在 100°C 時(shí)為 20W。
存儲(chǔ)溫度范圍 :-40°C 至 +150°C。
封裝形式 :壓力接觸封裝,使用隔離銅基板。
應(yīng)用領(lǐng)域——ND89N16K
工業(yè)驅(qū)動(dòng) :用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制。
不間斷電源(UPS) :在 UPS 系統(tǒng)中,為關(guān)鍵設(shè)備提供持續(xù)穩(wěn)定的電力支持,保障數(shù)據(jù)和設(shè)備的安全。
可再生能源設(shè)備 :例如太陽能和風(fēng)能發(fā)電設(shè)備,用于電能轉(zhuǎn)換和傳輸,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…IKW50N65ES5
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