商品名稱:功率因數(shù)校正 - PFC
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-DSO-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:12000 件
ICE1PCS02G是一款 8 引腳寬輸入范圍控制器集成電路,用于有源功率因數(shù)校正轉(zhuǎn)換器。它專為升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換器而設(shè)計,只需少量外部元件。建議由外部輔助電源為其供電,該輔助電源將開關(guān) IC。
集成電路在 CCM 模式下工作,具有平均電流控制功能,僅在輕負(fù)載條件下才工作在 DCM 模式下。開關(guān)頻率經(jīng)過微調(diào),內(nèi)部固定為 65kHz。電流和電壓環(huán)路補(bǔ)償均由外部完成,以便用戶進(jìn)行全面控制。
內(nèi)置的各種保護(hù)功能可確保系統(tǒng)安全運(yùn)行。內(nèi)部基準(zhǔn)經(jīng)過微調(diào)(5V+2%),以確保精確的保護(hù)和輸出控制電平。
ICE1PCS02G是 ICE1PCS01 的設(shè)計變型,集成了新的輸入掉電保護(hù)功能,并經(jīng)過優(yōu)化,具有更快的啟動時間和可控的峰值啟動電流。
ICE1PCS02G 特點(diǎn)
- 使用簡單,只需少量外部元件
- 支持寬輸入范圍
- 平均電流控制
- 外部電流和電壓環(huán)路補(bǔ)償,提高用戶靈活性
- 經(jīng)微調(diào)的內(nèi)部固定開關(guān)頻率(65kHz+7.7%,25oC 時)
- 直接感應(yīng)、帶磁滯的輸入斷電檢測
- 啟動(軟啟動)持續(xù)時間短
- 最大占空比為 97%(典型值)
- 微調(diào)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓(5V+2)
- VCC 欠壓鎖定
- 逐周期峰值電流限制
- 過壓保護(hù)
- 開環(huán)檢測
- 軟過流保護(hù)
- 增強(qiáng)的動態(tài)響應(yīng)
- 符合 IEC 1000-3-2 的 D 級要求
ICE1PCS02G 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 功率因數(shù)校正 - PFC
開關(guān)頻率: 70 kHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DSO-8
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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