商品名稱:ARM 微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:LQFP48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
STM32F100C4T6A是一款基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核的 32 位微控制器,屬于 STM32F100 超值系列。該芯片集高性能、低功耗和高集成度于一身,適用于多種嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景。
核心特性
高性能 ARM Cortex-M3 內(nèi)核
運(yùn)行頻率高達(dá) 24 MHz,支持單周期乘法和硬件除法,性能優(yōu)異。
提供 1.25 DMIPS/MHz 的處理能力,適合實(shí)時(shí)控制應(yīng)用。
存儲(chǔ)器配置
16 KB Flash 存儲(chǔ)器,用于程序存儲(chǔ)。
4 KB SRAM,支持高速數(shù)據(jù)存取。
豐富的外設(shè)資源
1 個(gè) 12 位 ADC,支持 10 個(gè)通道,轉(zhuǎn)換時(shí)間低至 1.2 μs。
2 個(gè) 12 位 DAC,提供高精度模擬輸出。
多個(gè)定時(shí)器(包括 16 位通用定時(shí)器和高級(jí)控制 PWM 定時(shí)器),支持電機(jī)控制和信號(hào)生成911。
支持多種通信接口,包括 I2C、SPI、USART 和 HDMI CEC,滿足多樣化連接需求。
低功耗設(shè)計(jì)
支持多種低功耗模式(睡眠、停止和待機(jī)模式),適合電池供電設(shè)備。
寬工作電壓范圍
工作電壓范圍為 2.0V 至 3.6V,適應(yīng)多種電源環(huán)境1011。
封裝與引腳
采用 LQFP-48 封裝,尺寸為 7.2 mm x 7.2 mm x 1.45 mm,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
提供 37 個(gè)可編程 I/O 引腳,支持多種外設(shè)連接。
應(yīng)用領(lǐng)域
STM32F100C4T6A 適用于以下場(chǎng)景:
工業(yè)控制:如 PLC、逆變器和電機(jī)控制。
消費(fèi)電子:如游戲外設(shè)、打印機(jī)和掃描儀。
醫(yī)療設(shè)備:如手持醫(yī)療儀器和患者監(jiān)護(hù)設(shè)備。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車(chē)規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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