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IR3550MTRPBF集成 PowIRstage? 是一款同步降壓柵極驅(qū)動器,與控制 MOSFET 和帶集成肖特基二極管的同步 MOSFET 共同封裝。它針對 PCB 布局、傳熱和驅(qū)動器/MOSFET 時序進行了內(nèi)部優(yōu)化。定制設計的柵極驅(qū)動器和 MOSFET 組合能以更低的輸出電壓實現(xiàn)更高的效率,滿足尖端 CPU、GPU 和 DDR 存儲器設計的要求。
高達 1.0MHz 的開關頻率可實現(xiàn)高性能瞬態(tài)響應,從而在保持業(yè)界領先效率的同時,實現(xiàn)輸出電感器以及輸入和輸出電容器的小型化。IR3550 的超高效率實現(xiàn)了最小尺寸和更低的解決方案成本。IR3550 PCB 基底面與 IR3551(50A)和 IR3553(40A)兼容。
與基于電感器 DCR 檢測方法的同類最佳控制器相比,集成電流檢測放大器實現(xiàn)了出色的電流檢測精度和信噪比。
IR3550MTRPBF集成了 Body-Braking? 功能,可減少輸出電容器。IR3550 的同步二極管仿真模式減輕了 PWM 控制器的零電流檢測負擔,提高了系統(tǒng)的輕負載效率。
IR3550MTRPBF專門針對服務器應用中的 CPU 內(nèi)核供電進行了優(yōu)化。IR3550 能夠滿足服務器市場的嚴格要求,因此也非常適合為 GPU 和 DDR 存儲器設計以及其他大電流應用供電。
IR3550MTRPBF技術規(guī)格
激勵器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 60 A
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電壓-最大: 14 V
最大時鐘頻率: 1 MHz
濕度敏感性: Yes
輸出電壓: 250 mV to 3.3 V
應用
用于 CPU、GPU 和 DDR
存儲器陣列的穩(wěn)壓器
大電流、小尺寸 DC-DC 轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…IKW50N65ES5
IKW50N65ES5絕緣柵雙極晶體管(IGBT)適合開關頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應用,可實現(xiàn)高效率和更快的產(chǎn)品上市周期,降低電路設計復雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。該產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢和技術參數(shù):IKW50N65ES5的優(yōu)勢不需要 VCEpeak 箝位電路不需要柵極箝位元件出色的 EM…IHW20N135R5
IHW20N135R5是一款采用 TO247 封裝的1350 V IGBT單片集成反向?qū)ǘO管,具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1350 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):60 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,20A功率…電話咨詢:86-755-83294757
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