商品名稱:VND14NV04TR
數(shù)據(jù)手冊:VND14NV04TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-252
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:12500 件
VND14NV04TR是采用意法半導體VIPower? M0技術制造的單片器件,旨在替代直流至50KHz應用中的標準功率MOSFET。內(nèi)置熱關斷、線性電流限制和過壓鉗制可在惡劣環(huán)境中保護芯片。
特性
線性電流限制
熱關斷
短路保護
集成鉗制
從輸入引腳獲取的低電流
通過輸入引腳的診斷反饋
ESD保護
直接進入功率MOS的柵極 直接進入功率MOSFET的柵極(模擬驅動)
與標準的功率MOSFET兼容
屬性
系列: OMNIFET II?, VIPower?
開關類型: 通用
輸出數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 1:1
輸出配置: 低端
輸出類型: N 通道
接口: 開/關
電壓 - 負載: 36V(最大)
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd): 不需要
電流 - 輸出(最大值): 12A
導通電阻(典型值): 35 毫歐(最大)
輸入類型: 非反相
特性: -
故障保護: 限流(固定),超溫,過壓
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: DPAK
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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