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L6385是一個高壓器件，采用BCD "OFF-LINE "技術制造。它有一個驅動結構，能夠驅動獨立參考的N通道功率MOS或IGBT。上部（浮動）部分能夠在高達600V的電壓軌上工作。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容的，便于與控制設備連接。

規(guī)格參數(shù)

驅動配置 半橋  

通道類型 獨立式  

驅動器數(shù) 2  

柵極類型 IGBT，N 溝道 MOSFET  

電壓 - 供電 17V（最大）  

邏輯電壓 - VIL，VIH 1.5V，3.6V  

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） 400mA，650mA  

輸入類型 反相  

高壓側電壓 - 最大值（自舉） 600 V  

上升/下降時間（典型值） 50ns，30ns  

工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）  

供應商器件封裝 8-SOIC

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