商品名稱:FD5001MNTXG
品牌:ON
年份:23+
封裝:QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FD5001MNTXG 是一款高性能8相數(shù)字降壓控制器,可配置為單軌或雙軌輸出軌。它與英特爾?SVID協(xié)議完全兼容。它旨在為英特爾的VR13和VR14處理器導(dǎo)軌、DDR內(nèi)存DIMM插槽和高電流低電壓數(shù)字負(fù)載供電。所有所需參數(shù)均可通過(guò)PMBus接口編程。
FD5001設(shè)備采用OnSemi專有的高級(jí)COT架構(gòu),以最大的靈活性、性能和最小的控制器和整體解決方案尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)控制和電源管理功能。先進(jìn)的COT控制具有極低的延遲,可應(yīng)對(duì)嚴(yán)重的負(fù)載瞬變,并可輕松實(shí)現(xiàn)僅使用陶瓷輸出電容的高開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)。包括非易失性O(shè)TP存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)多個(gè)自定義配置。它還通過(guò)實(shí)施快速切換動(dòng)態(tài)相位管理和變頻輕負(fù)載控制,實(shí)現(xiàn)了最佳平臺(tái)效率。
FD5001器件設(shè)計(jì)用于與Onsemi的智能功率級(jí)配合使用,該功率級(jí)精確集成了電感電流檢測(cè)和溫度監(jiān)控。
應(yīng)用
? 用于基于VR13和VR14的英特爾微處理器的高電流穩(wěn)壓器
? 基于英特爾VR13和VR14的系統(tǒng)中的DDR內(nèi)存穩(wěn)壓器
? 服務(wù)器、數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備中的多相穩(wěn)壓器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
MPS
QFN-32
5000
36V 同步升降壓(Buck-Boost)控制器,具有電流監(jiān)控功能和串行接口,并可通過(guò) IPWM 調(diào)節(jié) OCP
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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