商品名稱:NVMFD5C466NLWFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFD5C466NLWFT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMFD5C466NLWFT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 毫米扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計而設(shè)計,具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應(yīng)用。
特點
小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設(shè)計
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
可潤濕側(cè)翼選項可增強(qiáng)光學(xué)檢測能力
通過 AEC-Q101 認(rèn)證,可進(jìn)行 PPAP 生產(chǎn)
這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
電磁線圈驅(qū)動器
低壓側(cè)/高壓側(cè)驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅堋<夹g(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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