商品名稱:NTMFS0D7N03CGT1G
數據手冊:NTMFS0D7N03CGT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
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NTMFS0D7N03CGT1G 是 30V 功率 MOSFET N 溝道晶體管,SO8-FL,5x6mm,表面貼裝。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):59A(Ta),409A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):0.65 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 280μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):147 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):12300 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):4W(Ta),187W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
特性
寬 SOA 以改善浪涌電流管理
先進封裝(5x6 毫米),具有出色的熱傳導性能
超低 RDS(on),提高系統(tǒng)效率
應用
熱插拔應用
電源負載開關
電池管理和保護
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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NB6N11SMNG
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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