商品名稱:NCP4307FBSNT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCP4307FBSNT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-23-6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NCP4307FBSNT1G 是一款高性能驅(qū)動(dòng)器,專門用于控制開關(guān)模式電源中的同步整流 MOSFET。憑借其高性能驅(qū)動(dòng)器和多功能性,它可用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如 DCM 或 CCM 反激式、準(zhǔn)諧振反激式和正激式。
功能特點(diǎn)
用于反激式應(yīng)用的 CCM、DCM 和 QR 中同步整流器的自足式控制
精確的真正次級(jí)零電流檢測(cè)
從電流檢測(cè)輸入到驅(qū)動(dòng)器的關(guān)斷延遲通常為 15 ns
堅(jiān)固的電流檢測(cè)引腳(高達(dá) 200 V)
高壓側(cè)操作或低 VOUT 時(shí)的自供電能力
超快關(guān)斷觸發(fā)接口/禁用輸入(10.5 ns)
帶反向電流保護(hù)的內(nèi)部最短導(dǎo)通時(shí)間
具有振鈴檢測(cè)功能的內(nèi)部最短關(guān)斷時(shí)間
改進(jìn)的穩(wěn)健自同步能力
7 A / 2 A 峰值電流灌入/源驅(qū)動(dòng)能力
工作電壓范圍高達(dá) VCC = 35 V
自動(dòng)輕載禁用模式
高壓側(cè)工作能力,無需外部元件或輔助繞組
兩個(gè) VCC 引腳選項(xiàng)允許在寬 VOUT 范圍應(yīng)用中優(yōu)化功耗
低啟動(dòng)和禁用電流消耗
TSOP6 封裝
這些器件均為無鉛器件
應(yīng)用
筆記本適配器
高功率密度 AC/DC 電源(手機(jī)充電器)
液晶電視
所有具有高能效要求的 SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢:86-755-83294757
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