商品名稱:NCD83591MNTXG
數(shù)據(jù)手冊:NCD83591MNTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:28-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCD83591MNTXG 是一款易于使用的多用途三相柵極驅(qū)動器,經(jīng)過優(yōu)化,具有較低的 BOM 成本。該器件具有寬工作電壓范圍,是 5 V(最低)至 60 V(最高)工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用的理想之選。
特性
- 工作電壓為 5 V 至 60 V,容差為 4 V 至 70 V
- 功率 FET 的恒定電流驅(qū)動,可配置范圍為 5 mA 至 250 mA(通過 VDRV 引腳的輸入電平進行 16 種設(shè)置)
- 內(nèi)部產(chǎn)生的柵極驅(qū)動電源電壓
- 高壓側(cè)柵極和源輸出引腳可承受 -12 V 直流電壓
- 柵極傳感,用于交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護和優(yōu)化死區(qū)時間
- 嵌入式高 GBW 通用放大器(用于電流檢測和外部配置)
- 嵌入式充電泵功能允許直流靜態(tài)驅(qū)動
- 強大的保持電流可防止自導(dǎo)通
- 在失去 VDD(核心)電源時將內(nèi)部柵極下拉至 GND
- VM、VGL 和 VGH-VM 欠壓鎖定,可選跳閘電平
- 兼容 5 V/3.3 V 6 輸入控制加使能
- 單獨的六柵極控制模式,帶獨立引腳,可覆蓋和驅(qū)動所有 6 個柵極輸出低電平
- 4 kV HBM 和 1 kV CDM ESD 保護
- 這是一款無鉛器件
應(yīng)用
- 電動工具
- 工業(yè)執(zhí)行器和 Cobot
- 自動導(dǎo)引機器人
- 輕型移動設(shè)備(電動自行車、電動滑板車、懸浮滑板)
型號
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描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅堋<夹g(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…電話咨詢:86-755-83294757
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